參數(shù)資料
型號(hào)： K4H280438F-ULB0
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 128Mb F-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
中文描述： 128Mb的的F -模與鉛DDR SDRAM的規(guī)格66 TSOP-II免費(fèi)（符合RoHS）
文件頁(yè)數(shù)： 21/23頁(yè)
文件大?。?/td> 298K
代理商： K4H280438F-ULB0
DDR SDRAM
DDR SDRAM 128Mb F-die (x4, x8)
Rev. 1.1 May. 2004
Table 8. Full Strength Driver Characteristics
Pulldown Current (mA)
pullup Current (mA)
Voltage
(V)
Typical
Low
Typical
High
Minimum
Maximum
Typical
Low
Typical
High
Minimum
Maximum
0.1
6.0
6.8
4.6
9.6
-6.1
-7.6
-4.6
-10.0
0.2
12.2
13.5
9.2
18.2
-12.2
-14.5
-9.2
-20.0
0.3
18.1
20.1
13.8
26.0
-18.1
-21.2
-13.8
-29.8
0.4
24.1
26.6
18.4
33.9
-24.0
-27.7
-18.4
-38.8
0.5
29.8
33.0
23.0
41.8
-29.8
-34.1
-23.0
-46.8
0.6
34.6
39.1
27.7
49.4
-34.3
-40.5
-27.7
-54.4
0.7
39.4
44.2
32.2
56.8
-38.1
-46.9
-32.2
-61.8
0.8
43.7
49.8
36.8
63.2
-41.1
-53.1
-36.0
-69.5
0.9
47.5
55.2
39.6
69.9
-41.8
-59.4
-38.2
-77.3
1.0
51.3
60.3
42.6
76.3
-46.0
-65.5
-38.7
-85.2
1.1
54.1
65.2
44.8
82.5
-47.8
-71.6
-39.0
-93.0
1.2
56.2
69.9
46.2
88.3
-49.2
-77.6
-39.2
-100.6
1.3
57.9
74.2
47.1
93.8
-50.0
-83.6
-39.4
-108.1
1.4
59.3
78.4
47.4
99.1
-50.5
-89.7
-39.6
-115.5
1.5
60.1
82.3
47.7
103.8
-50.7
-95.5
-39.9
-123.0
1.6
60.5
85.9
48.0
108.4
-51.0
-101.3
-40.1
-130.4
1.7
61.0
89.1
48.4
112.1
-51.1
-107.1
-40.2
-136.7
1.8
61.5
92.2
48.9
115.9
-51.3
-112.4
-40.3
-144.2
1.9
62.0
95.3
49.1
119.6
-51.5
-118.7
-40.4
-150.5
2.0
62.5
97.2
49.4
123.3
-51.6
-124.0
-40.5
-156.9
2.1
62.9
99.1
49.6
126.5
-51.8
-129.3
-40.6
-163.2
2.2
63.3
100.9
49.8
129.5
-52.0
-134.6
-40.7
-169.6
2.3
63.8
101.9
49.9
132.4
-52.2
-139.9
-40.8
-176.0
2.4
64.1
102.8
50.0
135.0
-52.3
-145.2
-40.9
-181.3
2.5
64.6
103.8
50.2
137.3
-52.5
-150.5
-41.0
-187.6
2.6
64.8
104.6
50.4
139.2
-52.7
-155.3
-41.1
-192.9
2.7
65.0
105.4
50.5
140.8
-52.8
-160.1
-41.2
-198.2
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