參數(shù)資料
型號： K4F661612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
中文描述： 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)RAM的快速頁面模式
文件頁數(shù)： 2/35頁
文件大小： 400K
代理商： K4F661612D
CMOS DRAM
K4F661612D,
K4F641612D
Industrial Temperature
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
Pin Name
Pin function
A0 - A12
Address Inputs(8K Product)
A0 - A11
Address Inputs(4K Product)
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
(400mil TSOP(II))
*(N.C) : N.C for 4K Refresh Product
K4F661612D-T
K4F641612D-T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4F661612D-TI 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F661612D-TP 4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F641612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F661612E 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4H1G0838A-TCA0 DIODE ZENER SINGLE 200mW 6.2Vz 0.05mA-Izt 0.05 1uA-Ir 5 SOD-323 3K/REEL
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參數(shù)描述
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K4F661612D-TP 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M X 16BIT CMOS DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE
K4F661612E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
K4F-6V-9 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
K4FS 功能描述:標(biāo)準(zhǔn)環(huán)形連接器 1 GANG XLR WALL PLT RoHS:否 制造商:Hirose Connector 系列:EM-W 產(chǎn)品類型:Accessories 位置/觸點(diǎn)數(shù)量:1 觸點(diǎn)類型: 觸點(diǎn)電鍍: 安裝風(fēng)格:Cable 外殼材質(zhì): 端接類型:Clamp 電壓額定值:
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