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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E661612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CHS
t
CP
t
CSR
t
CHS
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ15
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
RP
t
RP
Don
′
t care
Undefined
t
WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CEZ
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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