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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 30/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E661612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
t
ASC
t
CRP
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ7
ROW
ADDR
t
CSH
t
RASP
t
RP
t
ASR
Don
′
t care
HYPER PAGE MODE UPPER BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
Undefined
t
RAD
t
CAH
t
WP
t
DH
COL.
ADDR
COL.
ADDR
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
CWL
t
CWD
t
AWD
t
RWD
t
WP
t
CWD
t
AWD
t
CWL
t
AA
t
RAC
t
OEA
t
CLZ
t
CAC
t
OEZ
t
CPWD
t
OED
t
CLZ
t
OEA
t
CAC
t
AA
t
DH
t
OED
t
RWL
t
RCD
t
CP
t
CAS
t
CAS
t
CRP
t
CRP
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
DS
t
OEZ
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
DS
t
RPC
t
RSH
OPEN
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
HPRWC
t
ASC
t
RCS
t
RAH
t
OLZ
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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