參數(shù)資料
型號(hào)： K4E661612D
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： CMOS DRAM
中文描述： 的CMOS內(nèi)存
文件頁(yè)數(shù)： 25/36頁(yè)
文件大?。?/td> 397K
代理商： K4E661612D
CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDR
t
RASP
t
RP
t
RCD
t
ASR
t
CRP
Don
′
t care
HYPER PAGE MODE WORD WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ7
V
IH
-
V
IL
-
DQ8 ~ DQ15
t
CRP
t
HPC
t
RHCP
t
RAD
t
RAH
t
CAH
t
CAH
t
ASC
t
CAH
t
ASC
VALID
DATA-IN
t
DS
ó
COLUMN
ADDRESS
COLUMN
ADDRESS
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
RSH
ó
t
RCD
t
CRP
t
HPC
t
HPC
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
CP
t
CAS
t
RSH
ó
t
CSH
t
ASC
ó
ó
t
WP
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
WCS
t
WCH
ó
ó
ó
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-IN
ó
ó
t
DH
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-IN
VALID
DATA-IN
ó
ó
t
DH
t
DH
t
DH
t
DS
t
DS
t
DS
NOTE : D
OUT
= OPEN
t
HPC
t
RAL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E660412D 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640412D 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660812B 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812B 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660812C 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E661612E-TC50 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50
K4E-6V-1 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
K4E-6V-9 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
K4EB1101J 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:
K4EB121 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述:RELAY K4 12V
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*