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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 10/36頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | K4E661612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
t
CRP
R A S
V
IH
-
V
IL
-
U C A S
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
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V
IL
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W
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IH
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V
IL
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O E
V
IH
-
V
IL
-
V
O H
-
V
OL
-
D Q 0 ~ D Q 7
COLUMN
A D D R E S S
ROW
ADDRESS
t
RAS
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RC
t
C R P
t
RP
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CSH
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RSH
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D Q 8 ~ D Q 1 5
t
CAC
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DATA-OUT
DATA-OUT
t
CEZ
t
OEZ
t
OEZ
t
RCS
W O R D R E A D C Y C L E
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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