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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612C-TL60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 36/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | K4E661612C-TL60 |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
50 TSOP(II) 400mil
Units : Inches (millimeters)
MAX
0.047 (1.20)
MIN
0.002 (0.05)
0.018 (0.45)
0.010 (0.25)
0.0315 (0.80)
0.034 (0.875)
0.821 (20.85)
0.829 (21.05)
0.841 (21.35)
MAX
0.010 (0.25)
0.004 (0.10)
0
0
0
0~8
0.030 (0.75)
0.018 (0.45)
TYP
0.010 (0.25)
O
PACKAGE DIMENSION
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E661612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS DRAM |
| K4E661612E-TC50 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| K4E-6V-1 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4E-6V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4EB1101J | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
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