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參數(shù)資料
| 型號： | K4E661612C-TL60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 20/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | K4E661612C-TL60 |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
t
RWL
t
CWL
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LOWER-BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
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DQ0 ~ DQ7
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VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
RPC
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CAC
t
CLZ
OPEN
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OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E661612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS DRAM |
| K4E661612E-TC50 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| K4E-6V-1 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4E-6V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4EB1101J | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
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