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參數資料
| 型號： | K4E661612C-TL60 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 2/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | K4E661612C-TL60 |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
N.C
V
CC
W
RAS
N.C
N.C
N.C
N.C
A0
A1
A2
A3
A4
A5
V
CC
V
SS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
V
SS
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
N.C
V
SS
LCAS
UCAS
OE
N.C
N.C
A12(N.C)*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
V
SS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
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25
50
49
48
47
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45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
PIN CONFIGURATION
(Top Views)
Pin Name
Pin function
A0 - A12
Address Inputs(8K Product)
A0 - A11
Address Inputs(4K Product)
DQ0 - 15
Data In/Out
V
SS
Ground
RAS
Row Address Strobe
UCAS
Upper Column Address Strobe
LCAS
Lower Column Address Strobe
W
Read/Write Input
OE
Data Output Enable
V
CC
Power(+3.3V)
N.C
No Connection
(400mil TSOP(II))
*(N.C) : N.C for 4K Refresh Product
K4E661612C-T
K4E641612C-T
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612C | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-45 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-50 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612C-TC | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E661612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS DRAM |
| K4E661612E-TC50 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:4M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO50 |
| K4E-6V-1 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4E-6V-9 | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
| K4EB1101J | 制造商:Panasonic Electric Works 功能描述: |
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