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參數(shù)資料
| 型號： | K4E660812E |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 8米× 8位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 20/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | K4E660812E |
CMOS DRAM
K4E660812E,K4E640812E
OPEN
CAS
- BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE, A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CEZ
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
t
RP
Don
′
t care
Undefined
t
CHS
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WRP
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WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
OPEN
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
t
RC
t
RPC
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CP
t
RPC
t
CSR
t
OFF
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
t
WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CHR
t
RP
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E640812E | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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| K4F170412C | 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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