- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374257 > K4E660812B (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4E660812B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 8米× 8位的CMOS動態(tài)隨機(jī)存儲器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁數(shù)： | 11/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 416K |
| 代理商： | K4E660812B |
CMOS DRAM
K4E660812B,
K4E640812B
NOTE : D
OUT
= OPEN
WRITE CYCLE ( OE CONTROLLED WRITE )
RAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
V
IH
-
V
IL
-
DQ0 ~ DQ3(7)
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDRESS
t
RAS
t
RC
t
CRP
t
RP
t
CSH
t
RSH
t
CAS
t
RCD
t
RAL
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
t
WP
Don
′
t care
Undefined
CAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RWL
t
CWL
t
DH
t
OEH
t
OED
DATA-IN
t
DS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812C | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812C | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812E | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E660812C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E-JC/L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812E-TC/L | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661611D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。