- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374257 > K4E641612D (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) CMOS DRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E641612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 35/36頁 |
| 文件大小： | 397K |
| 代理商： | K4E641612D |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁當(dāng)前第35頁第36頁
CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RPS
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RASS
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
t
CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WRP
t
WRH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CHS
t
CP
t
CSR
t
CHS
TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RP
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
t
RC
t
RPC
t
CP
t
RPC
t
CSR
OPEN
V
OH
-
V
OL
-
DQ0 ~ DQ15
t
CHR
t
CP
t
CSR
t
CHR
t
RP
t
RP
Don
′
t care
Undefined
t
WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
-
t
CEZ
t
RAS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612D-TC6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:4M X 16bit CMOS dynamic RAM with extended data out |
| K4E660411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。