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參數(shù)資料
| 型號： | K4E641612D |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | CMOS DRAM |
| 中文描述： | 的CMOS內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 397K |
| 代理商： | K4E641612D |
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CMOS DRAM
K4E661612D,K4E641612D
Industrial Temperature
t
RWL
t
CWL
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
-
A
V
IH
-
V
IL
-
W
V
IH
-
V
IL
-
OE
V
IH
-
V
IL
-
COLUMN
ADDRESS
ROW
ADDR.
t
RAS
t
RWC
t
RP
t
CSH
t
RAD
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
CRP
Don
′
t care
LOWER-BYTE READ - MODIFY - WRITE CYCLE
Undefined
LCAS
V
IH
-
V
IL
-
V
I/OH
-
V
I/OL
-
DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
-
DQ8 ~ DQ15
t
WP
t
DS
t
DH
t
RSH
t
RCD
t
CAS
t
CRP
t
AWD
t
CWD
t
OEA
t
RWD
t
OED
t
OEZ
t
RAC
t
AA
VALID
DATA-OUT
VALID
DATA-IN
t
RPC
t
CAC
t
CLZ
OPEN
t
OLZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640812B | 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4E641612D-TC6000 | 制造商:Samsung SDI 功能描述:4M X 16bit CMOS dynamic RAM with extended data out |
| K4E660411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-TC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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