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參數資料
| 型號： | K4E641612C-TL50 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動態(tài)隨機存儲器的擴展數據輸出 |
| 文件頁數： | 35/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 884K |
| 代理商： | K4E641612C-TL50 |
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CMOS DRAM
K4E661612C,K4E641612C
OPEN
CAS - BEFORE - RAS SELF REFRESH CYCLE
NOTE : OE , A = Don
′
t care
RAS
V
IH
-
V
IL
-
UCAS
V
IH
-
V
IL
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t
RPS
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IH
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V
IL
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t
RASS
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RPC
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CP
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RPC
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CSR
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CEZ
OPEN
V
OH
-
V
OL
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DQ0 ~ DQ7
V
OH
-
V
OL
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DQ8 ~ DQ15
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WRP
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WRH
W
V
IH
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V
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CP
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TEST MODE IN CYCLE
NOTE : OE , A = Don
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Undefined
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WTS
t
WTH
W
V
IH
-
V
IL
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t
CEZ
t
RAS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4E641612C-TL60 | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612D | CMOS DRAM |
| K4E661612D | CMOS DRAM |
| K4E660412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E640412D | 16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4E641612C-TL60 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E641612D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:CMOS DRAM |
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| K4E660411D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E660411D-JC50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:16M x 4bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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