參數(shù)資料
型號(hào)： K4E640812B
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
中文描述： 8米× 8位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出
文件頁(yè)數(shù)： 9/21頁(yè)
文件大?。?/td> 416K
代理商： K4E640812B
CMOS DRAM
K4E660812B,
K4E640812B
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DQ0 ~ DQ3(7)
t
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CAC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4E660812C 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812C 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E660812E 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812E 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4F160411C 4M x 4Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4E640812C 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812E 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812E-JC/L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E640812E-TC/L 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
K4E641611D-TC50 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out
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