參數(shù)資料
型號(hào)： K4D263238M-QC60
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 3.3Vz 5mA-Izt 0.0606 0.1uA-Ir SOT-23 3K/REEL
中文描述： 100萬(wàn)x 32Bit的× 4銀行雙數(shù)據(jù)速率同步RAM的雙向數(shù)據(jù)選通和DLL
文件頁(yè)數(shù)： 7/19頁(yè)
文件大?。?/td> 281K
代理商： K4D263238M-QC60
128M DDR SDRAM
K4D263238M
- 7 -
Rev. 1.3 (Aug. 2001)
BLOCK DIAGRAM
(1Mbit x 32I/O x 4 Bank)
Bank Select
Timing Register
A
R
R
R
C
Data Input Register
Serial to parallel
1Mx32
1Mx32
1Mx32
1Mx32
S
2
O
I
Column Decoder
Latency & Burst Length
Programming Register
S
G
CK,CK
ADDR
LCKE
CK,CK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DMi
LDMi
CK,CK
LCAS
LRAS
LCBR
LWE
LWCBR
L
L
CK, CK
64
64
32
32
LWE
LDMi
x32
DQi
Data Strobe
Intput Buffer
DLL
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4D263238M 1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
K4D263238M-QC45 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 39Vz 5mA-Izt 0.0513 0.1uA-Ir 29 SOT-23 3K/REEL
K4D263238M-QC50 DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 3Vz 5mA-Izt 0.0667 0.1uA-Ir SOT-23 3K/REEL
K4D263238M-QC55 1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
K4D26323QG 128Mbit GDDR SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4D26323QG 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM
K4D26323QG-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM
K4D26323QG-GC2A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM
K4D26323QG-GC33 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM
K4D26323RA 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL
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