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參數(shù)資料
| 型號： | K4D263238G-GC33 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 128Mbit GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 128Mbit GDDR SDRAM內存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 430K |
| 代理商： | K4D263238G-GC33 |
128M GDDR SDRAM
K4D263238G-GC
- 19 -
Rev 1.8 (March. 2005)
0
1
2
3
4
5
6
7
8
BAa
Ra
Ra
Ra
tRCD
ACTIVEA
ACTIVEB WRITEA
WRITEB
13
14
15
16
17
18
19
20
21
BAa
BAb
Ca
Cb
BAa
Ca
9
10
11
12
PRECH
BAa
22
Normal Write Burst
(@ BL=4)
Multi Bank Interleaving Write Burst
(@ BL=4)
BAa
Ra
Ra
BAb
Rb
Rb
tRAS
tRC
tRP
tRRD
COMMAND
DQS
DQ
WE
DM
CK, CK
A8/AP
ADDR
(A0~A7,
A9,A10)
BA[1:0]
ACTIVEA
WRITEA
Da0 Da1 Da2 Da3
Simplified Timing(2) @ BL=4
Db0 Db1
Db3
Da0 Da1 Da2 Da3
Db2
1
3
4
6
7
tCL
tCK
CK, CK
DQS
DQ
CS
DM
2
5
tIS
tIH
8
tDS tDH
0
tRPST
tRPRE
Db0
Db1
tDQSS
tDQSH
tDQSL
tCH
Qa1
Qa2
COMMAND
READA
WRITEB
tDQSQ
t
WPRES
t
WPREH
tDQSCK
tAC
Simplified Timing @ BL=2, CL=4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4D263238G-GC36 | 128Mbit GDDR SDRAM |
| K4D263238G-VC | 128Mbit GDDR SDRAM |
| K4D263238M-QC60 | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 3.3Vz 5mA-Izt 0.0606 0.1uA-Ir SOT-23 3K/REEL |
| K4D263238M | 1M x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous RAM with Bi-directional Data Strobe and DLL |
| K4D263238M-QC45 | DIODE ZENER DUAL COMMON-CATHODE 300mW 39Vz 5mA-Izt 0.0513 0.1uA-Ir 29 SOT-23 3K/REEL |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4D263238G-GC36 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM |
| K4D263238G-VC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:128Mbit GDDR SDRAM |
| K4D263238I-GC50T00 | 制造商:Samsung 功能描述:DDR SGRAM X32 FBGA - Tape and Reel |
| K4D263238I-UC50 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K4D263238I-UC50T00 | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
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