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參數(shù)資料
| 型號： | K4C89363AF-TCF5 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
| 中文描述： | 2097152 - 4字×銀行× 36位的雙數(shù)據(jù)速率網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 37/58頁 |
| 文件大小： | 1340K |
| 代理商： | K4C89363AF-TCF5 |
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- 37 -
K4C89363AF
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
1
12
13
14
15
REV. 0.0 Sep. 2002
Multiple Bank Write Timing (CL=6)
Unidirectional DS/QS mode
BL =2
LDS/UDS
Unidirectional DS/Free Running QS mode
BL =2
LDS/UDS
Da0 Da1
WL=5
Low
Command
Address
Bank Add.
WL=5
Da0 Da1
Low
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
WL=5
WL=5
Note :I
R C
to the same bank must be satisfied.
WRA
LAL
LA
UA
Bank
"a"
WRA
LAL
DESL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LAL
WRA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
LA
UA
UA
Bank
"b"
Bank
"a"
Bank
"b"
Bank
"c"
Bank
"d"
Bank
"a"
l
R B D
=2cycles
l
R B D
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
RBD
=2cycles
l
R B D
=2cycles
l
R C
(Bank"a")=7cycles
l
R C
(Bank"a")=7cycles
Da0 Da1
WL=5
WL=5
Da0 Da1
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
Da2 Da3
Db2 Db3
Da2 Da3
Db0 Db1
Da0 Da1
Db0 Db1
WL=5
WL=5
CLK
CLK
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
BL =4
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
LDS/UDS
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
BL =4
(Output)
LQS/UQS
(Output)
DQ
(Input)
LDS/UDS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C89363AF-TCF6 | 2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4D261638E-TC2A | 2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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