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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G1646C-ZCG9 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 42/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-ZCG9 |
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Page 42 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table 43 ] IDD Specification for 1Gb DDR3 C-die
Symbol
256Mx4 (K4B1G0446C)
Unit
Notes
800Mbps
1066Mbps
1333Mbps
6-6-6
7-7-7
8-8-8
8-8-8
9-9-9
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Symbol
128Mx8 (K4B1G0846C)
Unit
Notes
800Mbps
1066Mbps
1333Mbps
6-6-6
7-7-7
8-8-8
8-8-8
9-9-9
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IDD7
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Symbol
64Mx16 (K4B1G1646C)
Unit
Notes
800Mbps
1066Mbps
1333Mbps
6-6-6
7-7-7
8-8-8
8-8-8
9-9-9
IDD0
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1Gb DDR3 SDRAM E-die IDD Spec Table
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4C560838C-TCDA | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
| K4C561638C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C561638C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 33uF; Voltage: 200V; Case Size: 12.5x20 mm; Packaging: Bulk |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G1646D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646E | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Consumer Memory |
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