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參數資料
| 型號： | K4B1G1646C-ZCF7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數： | 30/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-ZCF7 |
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Page 30 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
CK
CK
Begin point : Rising edge of CK - CK
with ODT being first registered low
t
AOFPD
VTT
DQ, DM
DQS , DQS
TDQS , TDQS
VRTT_Nom
T
SW1
T
SW2
V
SW1
V
SW2
End point Extrapolated point at VRTT_Nom
VSSQ
CK
CK
Begin point : Rising edge of CK - CK
defined by the end point of ODTLcnw
t
ADC
VTT
DQ, DM
DQS , DQS
TDQS , TDQS
VRTT_Nom
T
SW11
T
SW21
V
SW1
End point Extrapolated point at VRTT_Nom
VRTT_Wr
End point Extrapolated point at VRTT_Wr
t
ADC
V
SW2
Begin point : Rising edge of CK - CK defined by
the end point of ODTLcwn4 or ODTLcwn8
End point
Extrapolated point
at VRTT_Nom
T
SW12
T
SW22
VRTT_Nom
VSSQ
Figure 18. Definition of tAOFPD
Figure 19. Definition of tADC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4C560838C-TCDA | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
| K4C561638C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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