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參數資料
| 型號： | K4B1G1646C-CF8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數： | 58/63頁 |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G1646C-CF8 |
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Page 58 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
V
SS
Hold Slew Rate
Falling Signal
Delta TF
Delta TR
tangent line [ Vih(dc)min - V
REF(dc)
]
Delta TF
=
V
DDQ
V
IH(ac)
min
V
IH(dc)
min
V
REF(dc)
V
IL(dc)
max
V
IL(ac)
max
tangent
line
tangent
line
dc to V
REF
region
dc to V
REF
region
nominal
line
nominal
line
Hold Slew Rat=
REF(dc)
- Vil(dc)max ]
Rising Signal
Delta TR
Figure 24 - Illustration of tangent line for hold time tDH (for DQ with respect to strobe) and tIH
(for ADD/CMD with respect to clock)
CK
CK
tIS
tIH
tIS
tIH
Note :Clock and Strobe are drawn on a different time scale.
tDS
tDH
tDS
tDH
DQS
DQS
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4C560838C-TCD3 | 256Mb Network-DRAM |
| K4C560838C-TCD4 | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 150uF; Voltage: 200V; Case Size: 16x31.5 mm; Packaging: Bulk |
| K4C560838C-TCDA | Aluminum Electrolytic Radial Lead High Ripple, Long Life Capacitor; Capacitance: 220uF; Voltage: 200V; Case Size: 18x31 mm; Packaging: Bulk |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| K4B1G1646C-ZCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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