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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4B1G0446C |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 54/63頁(yè) |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0446C |
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Page 54 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table 55 ] Derating values DDR3-1333/1600 tIS/tIH-ac/dc based - Alternate AC150 Threshold
[ Table 56 ] Required time t
VAC
above VIH(ac) {blow VIL(ac)} for valid transition
tIS,
tIH Derating [ps] AC/DC based
Alternate AC150 Threshold -> VIH(ac) = VREF(dc) + 150mV, VIL(ac) = VREF(dc) - 150mV
CLK,CLK Differential Slew Rate
4.0 V/ns
3.0 V/ns
2.0 V/ns
1.8 V/ns
1.6 V/ns
1.4V/ns
1.2V/ns
1.0V/ns
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
tIS
tIH
CMD/
ADD
Slew
rate
V/ns
2.0
70
50
75
50
75
50
83
58
91
66
99
74
107
84
115
100
1.5
50
34
50
34
50
34
58
42
66
50
74
58
82
68
90
84
1.0
0
0
0
0
0
0
8
8
16
16
24
24
32
34
40
50
0.9
0
-4
0
-4
0
-4
8
4
16
12
24
20
32
30
40
46
0.8
0
-10
0
-10
0
-10
8
-2
16
6
24
14
32
24
40
40
0.7
0
-16
0
-16
0
-16
8
-8
16
0
24
8
32
18
40
34
0.6
-1
-26
-1
-26
-1
-26
7
-18
15
-10
23
-2
31
8
39
24
0.5
-10
-40
-10
-40
-10
-40
-2
-32
6
-24
14
-16
22
-6
30
10
0.4
-25
-60
-25
-60
-25
-60
-17
-52
-9
-44
-1
-36
7
-26
15
-10
Slew Rate[V/ns]
t
VAC
@175mV [ps]
t
VAC
@50mV [ps]
min
max
min
max
>2.0
75
-
175
-
2.0
57
-
170
-
1.5
50
-
167
-
1.0
38
-
163
-
0.9
34
-
162
-
0.8
29
-
161
-
0.7
22
-
159
-
0.6
13
-
155
-
0.5
0
-
150
-
< 0.5
0
-
150
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