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參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G0446C-ZCF7 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 46/63頁 |
| 文件大?。?/td> | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0446C-ZCF7 |
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Page 46 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table 47 ] Refresh parameters by device density
Parameter
Symbol
512Mb
1Gb
2Gb
4Gb
8Gb
Units
All Bank Refresh to active/refresh cmd time
tRFC
90
110
160
300
350
ns
Average periodic refresh interval
tREFI
0
°
C
≤
T
CASE
≤
85
°
C
7.8
7.8
7.8
7.8
7.8
μ
s
85
°
C
<
T
CASE
≤
95
°
C
3.9
3.9
3.9
3.9
3.9
μ
s
12.4 Standard Speed Bins
DDR3 SDRAM Standard Speed Bins include tCK, tRCD, tRP, tRAS and tRC for each corresponding bin.
[ Table 48 ] DDR3-800 Speed Bins
Speed
DDR3-800
6 - 6 - 6
Units
Note
CL-nRCD-nRP
Parameter
Symbol
t
AA
t
RCD
t
RP
t
RC
t
RAS
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
min
15
15
15
52.5
37.5
max
20
-
-
-
9*tREFI
Intermal read command to first data
ACT to internal read or write delay time
PRE command period
ACT to ACT or REF command period
ACT to PRE command period
CL = 5 / CWL = 5
CL = 6 / CWL = 5
Supported CL Settings
Supported CWL Settings
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
n
CK
n
CK
8
Reserved
1,2,3,4
1,2,3
2.5
3.3
6
5
[ Table 49 ] DDR3-1066 Speed Bins
Speed
DDR3-1066
7 - 7 - 7
min
13.125
13.125
50.625
37.5
Reserved
Reserved
2.5
Reserved
Reserved
1.875
Reserved
1.875
6,7,8
DDR3-1066
8 - 8 - 8
min
15
15
15
52.5
37.5
Reserved
Reserved
2.5
Reserved
Reserved
Reserved
Reserved
1.875
Units
Note
CL-nRCD-nRP
Parameter
Symbol
t
AA
t
RCD
t
RP
t
RC
t
RAS
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
t
CK(AVG)
max
20
-
-
-
9*tREFI
max
20
-
-
-
9*tREFI
Intermal read command to first data
ACT to internal read or write delay time
PRE command period
ACT to ACT or REF command period
ACT to PRE command period
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
n
CK
n
CK
8
CL = 5
CWL = 5
CWL = 6
CWL = 5
CWL = 6
CWL = 5
CWL = 6
CWL = 5
CWL = 6
1,2,3,4,6
4
1,2,3,6
1,2,3,4
4
1,2,3,4
4
1,2,3
CL = 6
3.3
3.3
CL = 7
<2.5
CL = 8
<2.5
<2.5
Supported CL Settings
Supported CWL Settings
6,8
5,6
5,6
12.3 Refresh Parameters by Device Density
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G1646C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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| K4B1G0446D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCH9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
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