- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374254 > K4B1G0446C-CF8 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K4B1G0446C-CF8 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| 中文描述： | 1Gb的?芯片的DDR3 SDRAM規(guī)范 |
| 文件頁數(shù)： | 36/63頁 |
| 文件大小： | 1255K |
| 代理商： | K4B1G0446C-CF8 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁當前第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁
Page 36 of 63
Rev. 1.0 June 2007
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G04(08/16)46C
[ Table36 ] IDD Measurement Conditions for IDD3N and IDD3P(fast exit)
Note :
1. DDR3 will offer only ONE active power down mode with DLL on (-> fast exit). MRS bit 12 will not be used for active power down. Instead bit A12 will be used to switch
between two different precharge power down modes.
Current
IDD3N
IDD3P
Name
Active Standby Current
Active Power-Down Current
a
Always Fast Exit
Measurement Condition
Timing Diagram Example
Figure 2
CKE
HIGH
LOW
External Clock
on
on
t
CK
t
CKmin
(IDD)
t
CKmin
(IDD)
t
RC
n.a.
n.a.
t
RAS
n.a.
n.a.
t
RCD
n.a.
n.a.
t
RRD
n.a.
n.a.
CL
n.a.
n.a.
AL
n.a.
n.a.
CS
HIGH
STABLE
Addr. and cmd Inputs
SWITCHING as described in Table 2
STABLE
Data inputs
SWITCHING as described in Table 3
FLOATING
Output Buffer DQ,DQS / MR1 bit A12
off / 1
off / 1
Rtt_NOM, Rtt_WE
disabled
disabled
Burst length
n.a.
n.a.
Active banks
all
all
Idle banks
none
none
Precharge Power
Down Mode / Mode Register Bit
a
n.a.
n.a. (Active Power Down
Mode is always "Fast Exit" with DLL on
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-CF8 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCF7 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0846C-ZCG9 | 1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4B1G0446C-ZCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446C-ZCG9 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb C-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCF7 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
| K4B1G0446D-HCF8 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。