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JS28F640J3F75B TR

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人:廖先生

    電話:13612973190

    地址:廣東省深圳市華強(qiáng)北上航大廈西座410室

  • 9000

  • Micron

  • 56-TFSOP

  • 22+

  • -
  • 原廠渠道,現(xiàn)貨配單

  • JS28F640J3F75B TR
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  • 萬三科技(深圳)有限公司
    萬三科技(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:王小康

    電話:181886423070755-21006672

    地址:深圳市龍華區(qū)民治街道新牛社區(qū)金地梅隴鎮(zhèn)9棟4單元14C

  • 6500000

  • Micron Technology Inc.

  • 原廠原裝

  • 22+

  • -
  • 萬三科技 秉承原裝 實單可議

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JS28F640J3F75B TR 技術(shù)參數(shù)
  • JS28F640J3F75B 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 75ns 56-Pin TSOP T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MB NOR FLASH MEMORY 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MX16 PBF TSOP 3.0V 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 75ns 56-Pin TSOP T/R JS28F640J3F75A 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MB, SIXMILE+ TSOP 1.8 LF - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:64MB NOR FLASH MEMORY 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Parallel 3V/3.3V 64Mbit 8M/4M x 8bit/16bit 75ns 56-Pin TSOP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH JS28F640J3D75E 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ JS28F640J3D75D 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ JS28F640J3D75B 功能描述:IC FLASH 64MBIT 75NS 56TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ JS28F640P33BF70A JS28F640P33T85A JS28F640P33TF70A JS28F800C3BD70 JS-28W JS-307 JS-308 JS-31 JS-32 JS-32A JS-32D3SF15 JS-32D3SF7 JS-32S JS-36A JS-3M JS-40 JS-40W JS-45
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