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JANTXV1N6632

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    JANTXV1N6632

    JANTXV1N6632

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • E

  • 23+

  • -
  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共2條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 3.3V 5% 5W 2PIN E - Bulk
JANTXV1N6632 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV1N6631US 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6631 功能描述:Diode Standard 1100V (1.1kV) 1.4A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1100V(1.1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.6V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):60ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:4μA @ 1100V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6630US 功能描述:Diode Standard 1000V (1kV) 1.4A Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 1000V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6630 功能描述:Diode Standard 900V 1.4A Through Hole E-PAK 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):900V 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 900V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:E-PAK 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6629 功能描述:Diode Standard 880V 1.4A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/590 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):880V 電流 - 平均整流(Io):1.4A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1.4A 速度:快速恢復(fù) = 200mA(Io) 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 880V 不同?Vr,F(xiàn) 時(shí)的電容:40pF @ 10V,1MHz 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E,軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6641 JANTXV1N6641US JANTXV1N6642 JANTXV1N6642U JANTXV1N6642UB JANTXV1N6642UB2 JANTXV1N6642UB2R JANTXV1N6642UBCA JANTXV1N6642UBCC JANTXV1N6642UBD JANTXV1N6642US JANTXV1N6643 JANTXV1N6643U JANTXV1N6643US JANTXV1N6660 JANTXV1N6660CAT1 JANTXV1N6660CCT1 JANTXV1N6660DT1
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