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JANTXV1N6351

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  • 型號
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  • JANTXV1N6351
    JANTXV1N6351

    JANTXV1N6351

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JANTXV1N6351
    JANTXV1N6351

    JANTXV1N6351

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 130V 500

  • 22+

  • -
  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JANTXV1N6351 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 130V 5% 500MW 2PIN DO-35 - Bulk
JANTXV1N6351 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV1N6350 功能描述:Zener Diode 120V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):120V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):600 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 91V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 JANTXV1N6349US 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6349 功能描述:Zener Diode 110V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):110V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):500 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 84V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6348US 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):340 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6348 功能描述:Zener Diode 100V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標(biāo)稱值)(Vz):100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):340 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 76V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTXV1N6463US JANTXV1N6464 JANTXV1N6464US JANTXV1N6465 JANTXV1N6465US JANTXV1N6466 JANTXV1N6466US JANTXV1N6467 JANTXV1N6467US JANTXV1N6468 JANTXV1N6468US JANTXV1N6469 JANTXV1N6469US JANTXV1N6470 JANTXV1N6470US JANTXV1N6471 JANTXV1N647-1 JANTXV1N6471US
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