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JANTXV1N4101CUR-1

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JANTXV1N4101CUR-1
    JANTXV1N4101CUR-1

    JANTXV1N4101CUR-1

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-213AA

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JANTXV1N4101CUR-1
    JANTXV1N4101CUR-1

    JANTXV1N4101CUR-1

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 8.2V 500

  • 22+

  • -

  • JANTXV1N4101CUR-1
    JANTXV1N4101CUR-1

    JANTXV1N4101CUR-1

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國門外大街9號樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • JANTXV1N4101CUR-1
    JANTXV1N4101CUR-1

    JANTXV1N4101CUR-1

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營優(yōu)勢

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JANTXV1N4101CUR-1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 8.2V 2% 500MW 2PIN DO-213AA - Trays
JANTXV1N4101CUR-1 技術(shù)參數(shù)
  • JANTXV1N4101C-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±2% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±2% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1 JANTXV1N4101-1 功能描述:Zener Diode 8.2V 500mW ±5% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:8.2V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 6.3V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1 JANTXV1N4100UR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4100DUR-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Surface Mount DO-213AA 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-213AA（玻璃） 供應(yīng)商器件封裝:DO-213AA 標準包裝:1 JANTXV1N4100D-1 功能描述:Zener Diode 7.5V 500mW ±1% Through Hole DO-35 (DO-204AH) 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/435 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標稱值）（Vz）:7.5V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:200 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 5.7V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.1V @ 200mA 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35（DO-204AH） 標準包裝:1 JANTXV1N4103C-1 JANTXV1N4103CUR-1 JANTXV1N4103D-1 JANTXV1N4103DUR-1 JANTXV1N4103UR-1 JANTXV1N4104-1 JANTXV1N4104C-1 JANTXV1N4104CUR-1 JANTXV1N4104D-1 JANTXV1N4104UR-1 JANTXV1N4105-1 JANTXV1N4105C-1 JANTXV1N4105CUR-1 JANTXV1N4105D-1 JANTXV1N4105DUR-1 JANTXV1N4105UR-1 JANTXV1N4106-1 JANTXV1N4106C-1
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