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JANTX2N4931

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • JANTX2N4931
    JANTX2N4931

    JANTX2N4931

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • TO-205AD

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • JANTX2N4931
    JANTX2N4931

    JANTX2N4931

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • 原廠品牌

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 05+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • JANTX2N4931
    JANTX2N4931

    JANTX2N4931

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • 原廠品牌

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 05+

  • -
  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT PNP 250V 0.2A 3-Pin TO-39
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • TRANS GP BJT PNP 250V 0.2A 3PIN TO-39 - Bulk
JANTX2N4931 技術(shù)參數(shù)
  • JANTX2N4859 功能描述:JFET N-Channel 30V 175mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4857UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):40 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4857 功能描述:JFET N-Channel 40V 100mA @ 15V 360mW Through Hole TO-18 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):100mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):6V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):40 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應(yīng)商器件封裝:TO-18 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4856UB 功能描述:JFET N-Channel 40V 175mA @ 15V 360mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):175mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 500pA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):18pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):25 歐姆 功率 - 最大值:360mW 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N4854U 功能描述:TRANS NPN/PNP 40V 0.6A 6SMD 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/421 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):600mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):400mV @ 15mA,150mA 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V 功率 - 最大值:600mW 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,無引線 供應(yīng)商器件封裝:6-SMD 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANTX2N5151L JANTX2N5152 JANTX2N5152L JANTX2N5153 JANTX2N5153L JANTX2N5154 JANTX2N5154L JANTX2N5157 JANTX2N5237 JANTX2N5237S JANTX2N5238 JANTX2N5238S JANTX2N5302 JANTX2N5303 JANTX2N5339 JANTX2N5415 JANTX2N5415S JANTX2N5416
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