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JANS1N6312CUS

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
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  • JANS1N6312CUS
    JANS1N6312CUS

    JANS1N6312CUS

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共1條 
  • 1
JANS1N6312CUS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 3.3V 500mW ±2% Through Hole DO-35
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用，MIL-PRF-19500/533
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
  • 3.3V
  • 容差
  • ±2%
  • 功率 - 最大值
  • 500mW
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 27 歐姆
  • 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流
  • 5μA @ 1V
  • 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.4V @ 1A
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類(lèi)型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • DO-204AH，DO-35，軸向
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • DO-35
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JANS1N6312CUS 技術(shù)參數(shù)
  • JANS1N6312 功能描述:Zener Diode 3.3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3.3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:27 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:5μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6311US 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6311DUS 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±1% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±1% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6311 功能描述:Zener Diode 3V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:3V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:29 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:30μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH，DO-35，軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6310US 功能描述:Zener Diode 2.7V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:2.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:30 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:60μA @ 1V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，B 供應(yīng)商器件封裝:B，SQ-MELF 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JANS1N6313D JANS1N6313DUS JANS1N6313US JANS1N6314C JANS1N6314CUS JANS1N6314D JANS1N6314DUS JANS1N6314US JANS1N6315 JANS1N6315C JANS1N6315CUS JANS1N6315D JANS1N6315DUS JANS1N6315US JANS1N6316 JANS1N6316/TR JANS1N6316C JANS1N6316CUS
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