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JAN1N6341US

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  • JAN1N6341US
    JAN1N6341US

    JAN1N6341US

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人:岳先生 田小姐

    電話:0755-8278116013760181591

    地址:深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • ZENER DIODE

  • 22+

  • -
  • JAN1N6341US
    JAN1N6341US

    JAN1N6341US

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83276452

    地址:坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
JAN1N6341US PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Aeroflex / Metelics
  • 功能描述
  • ZENER VOLTAGE REGULATOR DIODE - Bulk
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • ZENER SGL 51V 5% 500MW 2PIN D-5D - Bulk
JAN1N6341US 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N6341 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):51V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):85 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 39V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6340US 功能描述:Zener Diode 47V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):47V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):75 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 36V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6339US 功能描述:Zener Diode 43V 500mW ±5% Surface Mount B, SQ-MELF 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):65 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF,B 供應(yīng)商器件封裝:B,SQ-MELF 標準包裝:1 JAN1N6339 功能描述:Zener Diode 43V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):43V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):65 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 33V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6338 功能描述:Zener Diode 39V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:microsemi ire division 系列:軍用,MIL-PRF-19500/533 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納(標稱值)(Vz):39V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗(最大值)(Zzt):55 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:50nA @ 30V 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.4V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:DO-204AH,DO-35,軸向 供應(yīng)商器件封裝:DO-35 標準包裝:1 JAN1N6346US JAN1N6347 JAN1N6347US JAN1N6348 JAN1N6348US JAN1N6349 JAN1N6349US JAN1N6350 JAN1N6350US JAN1N6351 JAN1N6351US JAN1N6391 JAN1N6392 JAN1N645-1 JAN1N6461 JAN1N6461US JAN1N6462 JAN1N6462US
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