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JAN1N5194

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  • 型號(hào)
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  • 數(shù)量
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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • JAN1N5194
    JAN1N5194

    JAN1N5194

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號(hào)儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • DO-204AH

  • 23+

  • -

  • 微芯專營(yíng)優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品

  • JAN1N5194
    JAN1N5194

    JAN1N5194

  • 北京京華特科技有限公司
    北京京華特科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/韓先生

    電話：010-86398446-8061581080972213911315253

    地址：北京市朝陽區(qū)建國(guó)門外大街9號(hào)樓603室

  • 1

  • MICROCHIP

  • N/A ㊣品

  • N/A 原裝進(jìn)口

  • -

  • 代理渠道可追溯現(xiàn)貨庫存F

  • JAN1N5194
    JAN1N5194

    JAN1N5194

  • 科創(chuàng)特電子（香港）有限公司
    科創(chuàng)特電子（香港）有限公司

    聯(lián)系人：柯

    電話：0755-83014603

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907

  • 1

  • MICROSEMI

  • 主營(yíng)優(yōu)勢(shì)

  • 19+

  • -

  • 100%原裝正品★終端免費(fèi)供樣★

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
JAN1N5194 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • STD RECOVERY RECTFR 70V 0.2A 2PIN DO-35 - Bulk
JAN1N5194 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N5190 功能描述:Diode Standard 600V 3A Through Hole Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/420 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:400ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5188 功能描述:Diode Standard 400V 3A Through Hole Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/424 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:250ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 400V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5187 功能描述:Diode Standard 200V 3A Through Hole Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/424 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 電流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 9A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間（trr）:200ns 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 200V 不同?Vr，F(xiàn) 時(shí)的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:B，軸向 供應(yīng)商器件封裝:軸向 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4994 功能描述:Zener Diode 330V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:330V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1175 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 251V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4992 功能描述:Zener Diode 270V 5W ±5% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:270V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:800 歐姆 不同?Vr 時(shí)的電流 - 反向漏電流:2μA @ 206V 不同 If 時(shí)的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N5287UR-1 JAN1N5288-1 JAN1N5288UR-1 JAN1N5289-1 JAN1N5289UR-1 JAN1N5290-1 JAN1N5290UR-1 JAN1N5291-1 JAN1N5291UR-1 JAN1N5292-1 JAN1N5292UR-1 JAN1N5293-1 JAN1N5293UR-1 JAN1N5294-1 JAN1N5294UR-1 JAN1N5295-1 JAN1N5295UR-1 JAN1N5296-1
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