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JAN1N4954DUS

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  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • JAN1N4954DUS
    JAN1N4954DUS

    JAN1N4954DUS

  • 林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司
    林沃田信息技術(shù)(深圳)有限公司

    聯(lián)系人：岳先生 田小姐

    電話：0755-8278116013760181591

    地址：深圳市福田區(qū)福田街道福南社區(qū)深南中路 3037號南光捷佳大廈2906

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 92500

  • Microsemi Corporation

  • DIODE ZENER 6.8V 5W

  • 22+

  • -

  • JAN1N4954DUS
    JAN1N4954DUS

    JAN1N4954DUS

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯(lián)系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83276452

    地址：坂田坂雪崗大道中興路105號儒駿大廈5樓503室

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SQ-MELF

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優(yōu)勢產(chǎn)品

  • 1/1頁 40條/頁 共1條 
  • 1
JAN1N4954DUS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • Zener Diode 6.8V 5W ±1% Surface Mount D-5B
  • 制造商
  • microsemi ire division
  • 系列
  • 軍用，MIL-PRF-19500/356
  • 包裝
  • 散裝
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）
  • 6.8V
  • 容差
  • ±1%
  • 功率 - 最大值
  • 5W
  • 阻抗（最大值）（Zzt）
  • 1 歐姆
  • 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流
  • 150μA @ 5.2V
  • 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）
  • 1.5V @ 1A
  • 工作溫度
  • -65°C ~ 175°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • SQ-MELF，E
  • 供應(yīng)商器件封裝
  • D-5B
  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝
  • 1
JAN1N4954DUS 技術(shù)參數(shù)
  • JAN1N4954D 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±1% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±1% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4954CUS 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±2% Surface Mount D-5B 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SQ-MELF，E 供應(yīng)商器件封裝:D-5B 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4954C 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±2% Through Hole E, Axial 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±2% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:E，軸向 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4954 功能描述:Zener Diode 6.8V 5W ±5% Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/356 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 電壓 - 齊納（標(biāo)稱值）（Vz）:6.8V 容差:±5% 功率 - 最大值:5W 阻抗（最大值）（Zzt）:1 歐姆 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:150μA @ 5.2V 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.5V @ 1A 工作溫度:-65°C ~ 175°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:E，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4946 功能描述:Diode Standard 600V 1A Through Hole 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/360 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 二極管類型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 電流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:1.3V @ 1A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時間（trr）:250ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:1μA @ 600V 不同?Vr，F(xiàn) 時的電容:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:A，軸向 供應(yīng)商器件封裝:* 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 175°C 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN1N4956CUS JAN1N4956D JAN1N4956DUS JAN1N4956US JAN1N4957 JAN1N4957C JAN1N4957CUS JAN1N4957D JAN1N4957DUS JAN1N4957US JAN1N4958 JAN1N4958C JAN1N4958CUS JAN1N4958D JAN1N4958DUS JAN1N4958US JAN1N4959 JAN1N4959C
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