型號: | IXFK44N50S |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 44A I(D) | TO-264VAR |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 500V五(巴西)直|第44A(?。﹟對264VAR |
文件頁數(shù): | 3/4頁 |
文件大?。?/td> | 336K |
代理商: | IXFK44N50S |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IXFK48N50S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-264VAR |
IXFX24N100 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 1KV V(BR)DSS | 24A I(D) | TO-247VAR |
IXFX90N20QS | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 90A I(D) | TO-247SMD |
IXGA10N60AU1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AA |
IXGA10N60U1 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IXFK44N55Q | 功能描述:MOSFET 44 Amps 550V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK44N60 | 功能描述:MOSFET DIODE Id44 BVdass600 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK44N80P | 功能描述:MOSFET 44 Amps 800V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK44N80Q3 | 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
IXFK48N50 | 功能描述:MOSFET DIODE Id48 BVdass500 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |