- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362819 > IXFH58N20S TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IXFH58N20S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 58A I(D) | TO-247VAR |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 200伏五（巴西）直| 58A條（丁）|對247VAR |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 457K |
| 代理商： | IXFH58N20S |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IXFH76N06 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 76A I(D) | TO-247AD |
| IXFH7N80 | HiPerFET Power MOSFETs |
| IXFH7N90 | HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH8N80S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-247SMD |
| IXFH9N80S | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247SMD |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IXFH5N100 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HIPERFET Power MOSFTETs |
| IXFH5N100P | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:Polar Power MOSFET HiPerFET |
| IXFH60N20 | 功能描述:MOSFET 60 Amps 200V 0.033 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH60N20F | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IXFH60N20F_08 | 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:HiPerRF Power MOSFET F-Class: MegaHertz Switching |
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