參數(shù)資料
型號(hào)： IXBJ40N140
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.4KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|第33A一（c）|至268
文件頁(yè)數(shù)： 3/4頁(yè)
文件大小： 105K
代理商： IXBJ40N140
2000 IXYS All rights reserved
C4 - 28
V
CE
- Volts
0
400
800
1200
1600
I
C
0.1
1
10
100
V
F
- Volts
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
I
F
0
10
20
30
40
50
60
70
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
Q
G
- nanocoulombs
0
20
40
60
80
100
120
140
V
G
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
CE
- Volts
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
13V
T
J
= 25
°
C
V
GE
= 17V
T
J
= 125
°
C
V
CE
= 600V
I
C
= 20A
T
J
= 125
°
C
V
CEK
< V
CES
15V
V
GE
- Volts
5
6
7
8
9
10
11
12
13
I
C
0
10
20
30
40
50
60
70
13V
V
GE
= 17V
15V
V
CE
= 20V
T
J
= 125
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
IXBH 40N140
IXBH 40N160
IXBJ 40N140
IXBJ 40N160
Fig. 1 Output Characteristics
Fig. 2 High Temperature Output Chacteristics
Fig. 3 Transfer Characteristics
Fig. 4 Forward voltage drop of the Intrinsic
Diode
Fig. 5 Gate Charge Characteristics
Fig. 6 Reverse Based Safe Operating Area
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBJ40N160 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.6KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268
IXBOD1-12D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.25KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-13D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.35KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-14D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.45KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-15D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.55KV V(BO) MAX|15MA I(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBK55N300 功能描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBK64N250 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC BIMOSFET 2500V 75A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXBK75N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBK75N170A 功能描述:MOSFET 65Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBL64N250 功能描述:MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*