參數(shù)資料
型號(hào)： IXBJ40N140
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.4KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268
中文描述： 晶體管| IGBT的|正陳| 1.4KV五（巴西）國(guó)際消費(fèi)電子展|第33A一（c）|至268
文件頁(yè)數(shù)： 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 105K
代理商： IXBJ40N140
2000 IXYS All rights reserved
C4 - 27
IXBJ 40N140
IXBJ 40N160
Symbol
Conditions
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
min.
typ.
max.
C
ies
C
oes
C
res
3300
220
30
pF
pF
pF
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V, f = 1 MHz
Q
g
I
C
= 20 A, V
CE
= 600 V, V
GE
= 15 V
130
nC
t
d(on)
t
ri
t
d(off)
t
fi
R
thJC
R
thCK
200
60
270
40
ns
ns
ns
ns
0.35 K/W
0.25
K/W
Reverse Conduction
Characteristic Values
(T
J
= 25
°
C, unless otherwise specified)
Symbol
Conditions
min.
typ.
max.
V
F
I
= I
, V
= 0 V, Pulse test,
t
≤
300 ms, duty cycle d
≤
2 %
2.5
5
V
Inductive load, T
J
= 125
°
C
I
C
= I
, V
= 15 V, L = 100
μ
H
V
CE
= 960 V, R
G
= 22
Leaded TO-268
Dim.
Inches
Min
.193
.106
.045
.075
.016
.057
.543
.488
.624
.524
.215 BSC
1.365
.780
.079
.039
Millimeters
Min
4.90
2.70
1.15
1.90
.040
1.45
13.80 14.00
12.40 12.70
15.85 16.05
13.30 13.60
5.45 BSC
34.67 35.43
19.81 20.32
2.00
1.00
Max
.201
.114
.057
.083
.026
.063
.551
.500
.632
.535
Max
5.10
2.90
1.45
2.10
.065
1.60
A
A1
b
b2
C
C2
D
D1
E
E1
e
H
L
L1
L2
1.395
.800
.091
.045
2.30
1.15
All metal area are
solder plated
1 - gate
2 - drain (collector)
3 - source (emitter)
4 - drain (collector)
IXYS MOSFETS and IGBTs are covered by one or more of the following U.S. patents:
4,835,592
4,881,106
5,017,508
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXBJ40N160 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.6KV V(BR)CES | 33A I(C) | TO-268
IXBOD1-12D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.25KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-13D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.35KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-14D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.45KV V(BO) MAX|15MA I(S)
IXBOD1-15D SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|1.55KV V(BO) MAX|15MA I(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXBK55N300 功能描述:IGBT 3000V 130A 625W TO264 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> IGBT - 單路 系列:BIMOSFET™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:30 系列:GenX3™ IGBT 類型:PT 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:1200V Vge, Ic時(shí)的最大Vce（開(kāi)）:3V @ 15V，100A 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:PLUS247?-3 包裝:管件
IXBK64N250 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC BIMOSFET 2500V 75A RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube
IXBK75N170 功能描述:MOSFET BIMOSFETS 1700V 200A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBK75N170A 功能描述:MOSFET 65Amps 1700V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IXBL64N250 功能描述:MOSFET 2500V 46A ISOPLUS I5-PAK RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:* 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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