參數(shù)資料
型號： ISL9N316AP3
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-220AB
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 48A條（丁）| TO - 220AB現(xiàn)有
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代理商： ISL9N316AP3
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9N305ASK8T Rev A1
I
Figure 11. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 12. Gate Charge Waveforms for Constant
Gate Currents
Figure 13. Switching Time vs Gate Resistance
Figure 14. Switching Time vs Gate Resistance
Typical Characteristic
(Continued)
100
1000
0.1
1
10
30
6000
C
V
DS
, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
V
GS
= 0V, f = 1MHz
C
ISS
= C
GS
+ C
GD
C
OSS
C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
0
2
4
6
8
10
0
25
50
75
V
G
,
Q
g
, GATE CHARGE (nC)
V
DD
= 15V
I
D
= 18A
I
D
= 1A
WAVEFORMS IN
DESCENDING ORDER:
0
100
200
300
0
10
20
30
40
50
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 4.5V, V
DD
= 15V, I
D
= 9A
t
d(OFF)
t
r
t
f
t
d(ON)
0
200
400
600
0
10
30
40
50
20
S
R
GS
, GATE TO SOURCE RESISTANCE (
)
V
GS
= 10V, V
DD
= 15V, I
D
= 9A
t
d(OFF)
t
r
t
d(ON)
t
f
Test Circuits and Waveforms
Figure 15. Unclamped Energy Test Circuit
Figure 16. Unclamped Energy Waveforms
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
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PDF描述
ISL9N316AS3ST TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB
ISL9V2040D3ST TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-252AA
ISL9V2040S3ST TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-263AB
ISL9V3040D3ST TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-252AA
ISL9V3040S3ST TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 17A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
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ISL9N322AS3ST 功能描述:MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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