型號(hào): | ISL9N315AD3ST |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | N-Channel Logic Level PWM Optimized UltraFET?? Trench Power MOSFETs |
中文描述: | 30 A, 30 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252AA |
封裝: | TO-252AA, 2 PIN |
文件頁(yè)數(shù): | 9/11頁(yè) |
文件大小: | 238K |
代理商: | ISL9N315AD3ST |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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ISL9N7030BLS3ST | 30V, 0.009 Ohm, 75A, N-Channel Logic Level UltraFET Trench Power MOSFETs |
ISL9R1560G2 | 15A, 600V Stealth⑩ Diode |
ISL9R1560P2 | 15A, 600V Stealth⑩ Diode |
ISL9R1560S2 | 15A, 600V Stealth⑩ Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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ISL9N316AD3ST | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ISL9N316AP3 | 功能描述:MOSFET TO-220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ISL9N316AS3ST | 功能描述:MOSFET TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ISL9N318AD3ST | 功能描述:MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
ISL9N322AD3ST | 功能描述:MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |