- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄362814 > ISL9H2060EG3 TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | ISL9H2060EG3 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費(fèi)電子展| 35A條一（c）|至247 |
| 文件頁數(shù)： | 6/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | ISL9H2060EG3 |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9H1260EG3, ISL9H1260EP3, ISL9H1260ES3 Rev. A
FIGURE 15. TOTAL SWITCHING LOSS vs CASE TEMPERATURE
FIGURE 16. TOTAL SWITCHING LOSS vs GATE RESISTANCE
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 20. REVERSE RECOVERY TIMES vs DIODE
FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
0
0.2
0.4
50
75
100
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
0.6
1.0
125
25
150
1.4
1.2
0.8
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
R
G
= 10
, V
CE
= 390V
E
T
,
0.1
10
100
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
1
10
3
1000
I
CE
= 24A
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
T
J
= 125
o
C, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
E
T
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
20
40
60
80
100
0
200
400
800
1000
1400
600
C
OES
C
IES
FREQUENCY = 1MHz
1200
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
1.9
10
12
2.0
2.2
2.1
11
13
14
15
16
2.3
2.4
V
C
,
1.8
I
CE
= 6A
I
CE
= 12A
I
CE
= 18A
DUTY CYCLE < 0.5%, V
GE
= 15V
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
0.5
1.0
1.5
2.5
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
0
2.0
0
8
12
16
25
o
C
125
o
C
4
24
20
PULSE DURATION = 250
μ
s
DUTY CYCLE < 0.5%,
3.0
100
50
0
t
r
,
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
2
12
10
125
75
25
6
8
150
200
25
o
C t
rr
25
o
C t
a
25
o
C t
b
125
o
C t
b
125
o
C t
a
dI
EC
/dt = 200A/
μ
s, V
CE
= 390V
125
o
C t
rr
4
175
ISL9H1260EG3, ISL9H1260EP3, ISL9H1260ES3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9N305ASK8T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | SO |
| ISL9N316AD3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-252AA |
| ISL9N316AP3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-220AB |
| ISL9N316AS3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB |
| ISL9V2040D3ST | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISL9K1560G3 | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K1560G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Fast Recovery Power Rectifier |
| ISL9K1560G3_Q | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K18120G3 | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K18120G3_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時(shí)間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。