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參數(shù)資料
| 型號： | ISL9H1260ES3T |
| 英文描述： | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 20A I(C) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| IGBT的|正陳| 600V的五（巴西）國際消費電子展|甲一（c）|至263AB |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 157K |
| 代理商： | ISL9H1260ES3T |
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
ISL9H1260EG3, ISL9H1260EP3, ISL9H1260ES3 Rev. A
ISL9H1260EG3, ISL9H1260EP3, ISL9H1260ES3
TO-247
3 LEAD JEDEC STYLE TO-247 PLASTIC PACKAGE
A
b
b
1
b
2
c
D
E
L
L
1
R
1
2
e
1
3
1
J
1
S
Q
P
BACK VIEW
TERM. 4
3
e
2
SYMBOL
INCHES
MILLIMETERS
NOTES
MIN
MAX
MIN
MAX
A
0.180
0.190
4.58
4.82
-
b
0.046
0.051
1.17
1.29
2, 3
b
1
b
2
c
0.060
0.070
1.53
1.77
1, 2
0.095
0.105
2.42
2.66
1, 2
0.020
0.026
0.51
0.66
1, 2, 3
D
0.800
0.820
20.32
20.82
-
E
0.605
0.625
15.37
15.87
-
e
0.219 TYP
5.56 TYP
4
e
1
J
1
L
0.438 BSC
11.12 BSC
4
0.090
0.105
2.29
2.66
5
0.620
0.640
15.75
16.25
-
L
1
P
0.145
0.155
3.69
3.93
1
0.138
0.144
3.51
3.65
-
Q
0.210
0.220
5.34
5.58
-
R
0.195
0.205
4.96
5.20
-
S
0.260
0.270
6.61
6.85
-
NOTES:
1. Lead dimension and finish uncontrolled in L
1
.
2. Lead dimension (without solder).
3. Add typically 0.002 inches (0.05mm) for solder coating.
4. Position of lead to be measured 0.250 inches (6.35mm) from bottom
of dimension D.
5. Position of lead to be measured 0.100 inches (2.54mm) from bottom
of dimension D.
6. Controlling dimension: Inch.
7. Revision 1 dated 1-93.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ISL9H2060EG3 | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 35A I(C) | TO-247 |
| ISL9N305ASK8T | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 18A I(D) | SO |
| ISL9N316AD3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-252AA |
| ISL9N316AP3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-220AB |
| ISL9N316AS3ST | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 48A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| ISL9K1560G3 | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K1560G3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Fast Recovery Power Rectifier |
| ISL9K1560G3_Q | 功能描述:整流器 15A 600V RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K18120G3 | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| ISL9K18120G3_Q | 功能描述:整流器 18A 1200V Stealth RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復(fù)時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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