參數(shù)資料
型號： IRGS6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 5/15頁
文件大?。?/td> 307K
代理商： IRGS6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
www.irf.com
5
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp = 10μs
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
0
5
10
15
20
VGE (V)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
IC
TJ = 25°C
TJ = 150°C
TJ = 150°C
TJ = 25°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VC
ICE = 3.0A
ICE = 5.0A
ICE = 10A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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IRGS6B60KDTRLP 功能描述:IGBT 模塊 600V 5A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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IRGS6B60KTRLPBF 功能描述:IGBT 模塊 600V 7AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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