參數(shù)資料
型號： IRGS30B60
廠商： International Rectifier
英文描述： LCD Display Panel; No. of Digits/Alpha:320; Display Technology:LCD; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
中文描述： 絕緣柵雙極晶體管
文件頁數(shù)： 9/13頁
文件大?。?/td> 328K
代理商： IRGS30B60
IRGB/S/SL30B60K
www.irf.com
9
Fig. WF3- Typ. S.C Waveform
@ T
C
= 150°C using Fig. CT.3
Fig. WF1- Typ. Turn-off Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
Fig. WF2- Typ. Turn-on Loss Waveform
@ T
J
= 150°C using Fig. CT.4
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
-0.20
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
Time(μs)
V
C
-5
0
5
10
15
20
25
30
35
I
C
90% I
CE
5% V
CE
5% I
CE
Eoff Loss
tf
-100
0
100
200
300
400
500
600
700
15.90
16.00
16.10
16.20
16.30
Time (μs)
V
C
-10
0
10
20
30
40
50
60
70
I
C
TEST CURRENT
90% test current
5% V
CE
10% test current
tr
Eon Loss
0
-5.00
100
200
300
400
500
600
0.00
5.00
10.00
15.00
time (μS)
V
C
0
50
100
150
200
250
300
I
C
V
CE
I
CE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGB4045DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PBF Advanced Trench IGBT Technology
IRGB4059DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB440U INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=22A)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS30B60K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS30B60KPBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANSISTOR
IRGS30B60KTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 30AD2PAK RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS4045DPBF 功能描述:IGBT 晶體管 IR IGBT 600V 6A, COPAK-D2PAK RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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