參數(shù)資料
型號(hào): IRGS15B60KD
廠商: International Rectifier
英文描述: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述: 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管
文件頁(yè)數(shù): 3/16頁(yè)
文件大小: 322K
代理商: IRGS15B60KD
IRG/B/S/SL15B60KD
www.irf.com
3
Fig. 1
- Maximum DC Collector Current vs.
Case Temperature
Fig. 2
- Power Dissipation vs. Case
Temperature
Fig. 3
- Forward SOA
T
C
= 25°C; T
J
150°C
Fig. 4
- Reverse Bias SOA
T
J
= 150°C; V
GE
=15V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
5
10
15
20
25
30
35
IC
1
10
100
1000
10000
VCE (V)
0.1
1
10
100
IC
10 μs
100 μs
1ms
DC
10
100
1000
VCE (V)
0
1
10
100
IC
0
20
40
60
80
100 120 140 160
TC (°C)
0
40
80
120
160
200
240
Pt
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL15B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB20B60PD1 SMPS IGBT
IRGB30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGSL30B60K INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGS15B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V ULTRAFAST 10-30KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS15B60KDTRRP 功能描述:IGBT 模塊 600V 15A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IRGS15B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V 15A 1.8V Welding SMPS UPS RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGS30B60 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGS30B60K 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR