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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRGP4065PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | PDP TRENCH IGBT |
| 中文描述： | 等離子溝道IGBT |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/7頁(yè) |
| 文件大小： | 326K |
| 代理商： | IRGP4065PBF |
www.irf.com
7
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed for the Industrial
market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS:
233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRGP50B60PD1 | SMPS IGBT |
| IRGPC20MD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A) |
| IRGPC30FD2 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=17A) |
| IRGPC30UD2 | 320 x 240 pixel format, LED or CFL Backlight |
| IRGPC40 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=27A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRGP4066D-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4066D-EPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V UltraFast Copack Trench IGBT |
| IRGP4066DPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4066-EPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low VCEon Trench IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| IRGP4066-EPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:TUBE / 600V Low VCEon Trench I |
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