參數(shù)資料
型號： IRGIB7B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 7/12頁
文件大小： 435K
代理商： IRGIB7B60KD
IRGIB7B60KD
www.irf.com
7
Fig. 17
- Typical Diode I
RR
vs. I
F
T
J
= 150°C
Fig. 18
- Typical Diode I
RR
vs. R
G
T
J
= 150°C; I
F
= 8.0A
Fig. 20
- Typical Diode Q
RR
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;T
J
= 150°C
Fig. 19
- Typical Diode I
RR
vs. di
F
/dt
V
CC
= 400V; V
GE
= 15V;
I
F
= 8.0A; T
J
= 150°C
0
5
10
15
20
IF (A)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IR
RG =
50
RG = 150
RG = 270
RG = 470
0
100
200
300
400
500
RG (
)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
IR
0
100
200
300
400
500
600
diF /dt (A/μs)
0
2
4
6
8
10
12
14
16
IR
0
100
200
300
400
500
600
700
diF /dt (A/μs)
0
500
1000
1500
QR
50
150
470
270
8.0A
16A
4.0A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGIH50F INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B120UD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP20B120U-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGP20B60PD WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGP30B60KD-E INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGIB7B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V Low-Vceon RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGIH50F 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGIH50FD 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
IRGIH50FU 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 45A I(C) | TO-259VAR
IRGKI0025M12 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 25A I(C)
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