參數(shù)資料
型號： IRGI4061DPBF
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)DIODEINSULATED柵雙極晶體管與超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 298K
代理商： IRGI4061DPBF
IRGI4061DPbF
4
www.irf.com
Fig. 9
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= -40°C
Fig. 7
- Typ. IGBT Output Characteristics
T
J
= 150°C; tp < 60μs
Fig. 10
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 25°C
Fig. 8
- Typ. Diode Forward Characteristics
tp < 60μs
Fig. 12
- Typ. Transfer Characteristics
V
CE
= 50V; tp < 60μs
Fig. 11
- Typical V
CE
vs. V
GE
T
J
= 150°C
0
2
4
6
8
VCE (V)
0
10
20
30
40
IC
VGE = 18V
VGE = 15V
VGE = 12V
VGE = 10V
VGE = 8.0V
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
VF (V)
0
10
20
30
40
50
60
IF
-40°C
25°C
150°C
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
VC
ICE = 5.5A
ICE = 11A
ICE = 22A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
VC
ICE = 5.5A
ICE = 11A
ICE = 22A
5
10
15
20
VGE (V)
0
2
4
6
8
10
12
14
VC
ICE = 5.5A
ICE = 11A
ICE = 22A
2
4
6
8
10
12
14
16
VGE (V)
0
10
20
30
40
IC
TJ = -40°C
TJ = 25°C
TJ = 150°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGI4065PBF PDP TRENCH IGBT
IRGI4085PBF PDP TRENCH IGBT
IRGIB10B60KD1 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGIB7B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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參數(shù)描述
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IRGI4085PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS IGBT CHIP N-CH 330V 28A 3PIN TO-220 - Bulk
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