參數(shù)資料
型號： IRGB6B60KD
廠商： International Rectifier
英文描述： INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
中文描述： 絕緣柵雙極型晶體管，超快軟恢復(fù)二極管
文件頁數(shù)： 14/15頁
文件大小： 307K
代理商： IRGB6B60KD
IRG/B/S/SL6B60KD
14
www.irf.com
TO-262 Part Marking Information
TO-262 Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
ASSEMBLY
LOT CODE
RECTIFIER
LOGO
INTERNATIONAL
ASSEMBLED ON WW 19, 1997
IN THE ASSEMBLY LINE "C"
Note: "P" in assembly line
position indicates "Lead-Free"
THIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
EXAMPLE:
LINE C
DATE CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
PART NUMBER
PART NUMBER
LOGO
LOT CODE
ASSEMBLY
INTERNATIONAL
RECTIFIER
YEAR 7 = 1997
P = PRODUCT (OPTIONAL)
A = ASSEMBLY SITE CODE
WEEK 19
DATE CODE
OR
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IRGSL6B60KD INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRH7450SE TRANSISTOR N-CHANNEL(BVdss=500V, Rds(on)=0.51ohm, Id=11A)
IRH9130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
IRH93130 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AA)
IRH9150 RADIATION HARDENED POWER MOSFET THRU-HOLE (T0-204AE)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IRGB6B60KDPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB6B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGB8B60K 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB
IRGB8B60KPBF 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IRGBC20 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=9.0A)
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