型號(hào): | IRGB5B120KD |
廠商: | International Rectifier |
英文描述: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
中文描述: | 絕緣柵雙極型晶體管,超快軟恢復(fù)二極管 |
文件頁(yè)數(shù): | 7/12頁(yè) |
文件大小: | 225K |
代理商: | IRGB5B120KD |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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IRGB6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGS6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGSL6B60K | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
IRGBC40S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=31A) |
IRGBF20 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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IRGB5B120KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 1200V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRGB6B60K | 制造商:International Rectifier 功能描述:IGBT TO-220AB |
IRGB6B60KD | 制造商:International Rectifier 功能描述:SINGLE IGBT, 600V, 13A, Transistor Type:IGBT, DC Collector Current:13A, Collecto |
IRGB6B60KDPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
IRGB6B60KPBF | 功能描述:IGBT 晶體管 600V UltraFast 10-30kHz IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |