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參數(shù)資料
| 型號： | IRGB4055PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Advanced Trench IGBT Technology |
| 中文描述： | 先進(jìn)的溝道IGBT技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 629K |
| 代理商： | IRGB4055PBF |
4
www.irf.com
Fig 7. Maximum Collector Current vs. Case Temperature
0
25
50
75
100
125
150
TC , Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
IC
Limited By Package
Fig 8. Typical Repetitive Peak Current vs. Case
Temperature
Fig 10. Typical E
PULSE
vs. Collector-to-Emitter Voltage
Fig 9. Typical E
PULSE
vs. Collector Current
Fig 11. E
PULSE
vs. Temperature
Fig 12. Forrward Bias Safe Operating Area
160
170
180
190
200
210
220
230
Ic, Peak Collector Current (A)
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
VCC = 240V
L = 220nH
C = variable
100°C
25°C
150 160 170 180 190 200 210 220 230 240
VCE, Collector-to-Emitter Voltage (V)
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
E
L = 220nH
C = 0.4μF
100°C
25°C
25
50
75
100
125
150
TJ, Temperature (oC)
200
400
600
800
1000
1200
E
VCC = 240V
L = 220nH
t = 1μs half sine
C= 0.4μF
C= 0.3μF
C= 0.2μF
1
10
100
1000
VCE (V)
1
10
100
1000
IC
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY VCE(on)
1μsec
10μsec
100μsec
25
50
75
100
125
150
Case Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
240
260
280
300
R
ton= 1μs
Duty cycle = 0.25
Half Sine Wave
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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